IXYS IXGH32N60C — IGBT Транзистор

Мощный IGBT транзистор IXYS IXGH32N60C предназначен для коммутации высоких напряжений и токов в инверторных и импульсных системах. Обеспечивает быструю коммутацию, низкие потери при переключении и совместим с управляющей электроникой стандартных силовых преобразователей. Широко используется в промышленных приложениях и энергетическом оборудовании.

Технические характеристики

Совместимость

• IXGR40N60B2 IGBT
• IXGA30N120B3 XPT IGBT COPACK
• IXA12IF1200HB IGBT 1200V
• IXGH20N120A3 GENX3 SIC IGBT
• IXFT36N50P MOSFET N-канальный
• IXTP15N50L2 Power MOSFET
• CS45-12IO1 SCR Thyristor
• DSEP15-12CR Fast Recovery Diode

Применение

IXGH32N60C применяется в инверторных системах, импульсных источниках питания, преобразователях частоты и промышленных силовых установках. Компонент обеспечивает надежную коммутацию в высокоскоростных электронных системах с напряжением 600V и током до 32A. Используется в солнечных инверторах, сварочных аппаратах, электроприводах и промышленной автоматике.

Преимущества

• Высокая коммутационная способность при токе 32A и 600V
• Совместим с широким спектром силовых модулей и контроллеров
• Надежность MTBF более 100,000 часов в номинальном режиме
• Экономия на замену аналогов благодаря прямой совместимости
• Гарантированное наличие и быстрая доставка по РК

Совместимые и аналогичные артикулы

Также ищут по артикулам: IXFT36N50P MOSFET, N, TO-268, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:36A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:500V, ON RESISTANCE RDS(ON):170MOHM, RDS(O, IXFT140N10P MOSFET, N, TO-268, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:140A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V, ON RESISTANCE RDS(ON):11MOHM, RDS(O, IXFP3N120 MOSFET, N, TO-220, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:3A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:120V, ON RESISTANCE RDS(ON):4.5OHM, RDS(ON), PD1201X2 RELAY, PRME15005B RELAY, IXTP15N50L2 N CH POWER MOSFET, LINEAR L2, 500V, 15A, TO-220, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:15A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:500V, ON RES, PAA110 SSR, OPTO MOSFET, 400V, 150MA, LOAD VOLTAGE MAX:400V, LOAD CURRENT:150MA, ON STATE RESISTANCE MAX:22OHM, CONTACT CONFIGURATION:DPST-NO, ISOLATION VOLT, LAA710 RELAY (SOLID-STATE), LAA710S RELAY (SOLID-STATE), CS45-16IO1 THYRISTOR, 48A, 1600V, PEAK REPETITIVE OFF-STATE VOLTAGE, VDRM:1600V, GATE TRIGGER CURRENT MAX, IGT:100MA, CURRENT IT AV:48A, ON STATE RMS CURRENT IT(, PRMA1B05 RELAY, IXGR40N60B2 IGBT, ISOPLUS247, TRANSISTOR TYPE:IGBT, DC COLLECTOR CURRENT:60A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.9V, POWER DISSIPATION PD:167W, COLLECTOR EMITTER VO, DSSK80-0008D DIODE, SCHOTTKY, 2X40A, 8V, DIODE CONFIGURATION:DUAL, DIODE TYPE:SCHOTTKY, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:8V, FORWARD CURRENT IF(AV):40A, FORWARD, DSEP15-12CR DIODE, FAST, 15A, ISOPLUS247, DIODE TYPE:FAST RECOVERY, DIODE CONFIGURATION:SINGLE, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:1.2KV, FORWARD CURRENT IF(AV):, DSEC60-12A DIODE, FAST, 60A, TO-247AD, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:1.2KV, FORWARD CURRENT IF(AV):30A, FORWARD VOLTAGE VF MAX:1.78V, ROHS COMPLIANT: YES, IXFV26N50PS MOSFET, N, SMD, PLUS220, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:26A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:500V, ON RESISTANCE RDS(ON) :230MOHM, IXGK50N60AU1 TRANSISTOR, IXFP4N100Q MOSFET, N, TO-220, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:4A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:1KV, ON RESISTANCE RDS(ON):3OHM, RDS(ON) TE, DSEC60-02A DIODE, FAST, 60A, TO-247AD, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:200V, FORWARD CURRENT IF(AV) :30A, FORWARD VOLTAGE VF MAX:950MV, CASE TEMPERATURE TC @, DSSK80-0045B DIODE, SCHOTTKY, 2X40A, 45V, DIODE TYPE:SCHOTTKY, DIODE CONFIGURATION:DUAL COMMON CATHODE, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:45V, FORWARD CURRENT IF, CPC1978J RELAY (SOLID-STATE), IXGA30N120B3 XPT IGBT COPACK, 1200V, 60A, TO-263, TRANSISTOR TYPE:IGBT, DC COLLECTOR CURRENT:60A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:2.96V, POWER DISSIPATION PD:300W,, PRME15015 RELAY, DSA120C150QB DIODE, SCHOTTKY, TO-3P, DIODE TYPE:SCHOTTKY, DIODE CONFIGURATION:DUAL COMMON CATHODE, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:150V, FORWARD CURRENT IF(AV), IXA12IF1200HB IGBT, 1200V, 20A, TO-247, TRANSISTOR TYPE:IGBT, DC COLLECTOR CURRENT:20A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.8V, POWER DISSIPATION PD:85W, COLLECTOR EMI, IXTP3N120 MOSFET, N, TO-220, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:3A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:1.2KV, ON RESISTANCE RDS(ON):4.5OHM, RDS(ON, DSSK70-008A DIODE, SCHOTTKY, 2X35A, 80V, DIODE TYPE:SCHOTTKY, DIODE CONFIGURATION:DUAL COMMON CATHODE, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:80V, FORWARD CURRENT IF, IXGH20N120A3 GENX3 SIC IGBT, 1200V, 40A, TO247AD, TRANSISTOR TYPE:IGBT, DC COLLECTOR CURRENT:40A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:2.3V, POWER DISSIPATION PD:180W, C, CS45-12IO1 SCR THYRISTOR, 48A, 1.2KV, TO-247AD, PEAK REPETITIVE OFF-STATE VOLTAGE, VDRM:1.2KV, GATE TRIGGER CURRENT MAX, IGT:100MA, CURRENT IT AV:48A, ON STATE R