IR TIRFF210 TRANSISTOR — N-канальный мощный MOSFET транзистор

Высокопроизводительный силовой транзистор IR TIRFF210 предназначен для приложений, требующих надежного переключения больших токов при высоких напряжениях. Широко применяется в импульсных источниках питания, инвертерах, усилителях мощности и промышленных преобразователях. Совместим с аналогичными решениями TIRF250, TIRFP250 и 2N3055, обеспечивая универсальность применения в различных схемотехнических решениях.

Технические характеристики

Совместимость

• TIRF250 TRANSISTOR
• TIRFP250 TRANSISTOR
• 2N3055 TRANSISTOR 15AMP 60V
• IRF640 TRANSISTOR MOSFET
• TIRFPE50 800V N-CHANNEL
• IRFP4232PBF N-channel MOSFET
• IRG4PC60UPBF MOSFET
• IRGP20B60PDPBF IGBT

Применение

TIRFF210 применяется в импульсных источниках питания для управления высокотоковыми цепями, трехфазных инверторах для преобразования постоянного тока в переменный, мощных усилителях класса D для звуковых систем, промышленных приводах и системах управления двигателями, а также в зарядных устройствах и преобразователях напряжения. Надежен для работы в условиях высоких температур и требующих частого переключения схемотехнических решений.

Преимущества

• Низкое сопротивление открытого канала RDS(on) обеспечивает минимальные потери мощности при 50-60A
• Совместим с широким спектром аналогов и замен типа TIRF250, TIRFP250, IRF640
• Высокая надежность MTBF для промышленного применения в диапазоне -55°C до +150°C
• Значительная экономия на OEM-решениях благодаря оптимальному соотношению цены и характеристик
• Стабильное наличие на складах в Казахстане с оперативной доставкой по РК

Совместимые и аналогичные артикулы

Также ищут по артикулам: TIRF250 TRANSISTOR, TIRFP250 TRANSISTOR, 2N3055 TRANSISTOR 15AMP 60V 115W, IRS21952SPBF. GATE DRIVER, 16SOIC, DEVICE TYPE:MOSFET, MODULE CONFIGURATION:HIGH AND LOW SIDE, PEAK OUTPUT CURRENT:500MA, INPUT DELAY:330NS, OUTPUT DELAY:330NS, SUP, PVA3054N MIN QTY 100 AC PHOTOVOLTAIC RELAY, LOAD CURRENT RMS MAX:50MA, DIELECTRIC WITHSTANDING VOLTAGE:4000VRMS, LEADED PROCESS COMPATIBLE:NO, PEAK REFLOW COMP, IR2136PBF IC, MOSFET DRIVER, 3-PHASE DRIVER, DIP-28, DEVICE TYPE:MOSFET, MODULE CONFIGURATION:HALF BRIDGE, PEAK OUTPUT CURRENT:350MA, OUTPUT RESISTANCE:50OHM, I, D30CPQ040 DIODE, IRF640 TRANSISTOR MOSFET 200V 18AMP 3PIN N-CHANNEL, TIRFPE50 800V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A TO-247AC PACKAGE, PVA3055NSPBF PRICE/EA (MIN PURCH= 100) - SSR, PHOTO MOSFET, 300V, 50MA, LOAD VOLTAGE MAX:300V, LOAD CURRENT:50MA, ON STATE RESISTANCE MAX:160OHM, CONTACT CONFIGURA, IR2167PBF MIN QTY 108 MOSFET DRIVER IC, SOURCE OUTPUT CURRENT MAX:250MA, SINK OUTPUT CURRENT:400MA, SUPPLY VOLTAGE MAX:25V, PACKAGE/CASE:16-NSOIC, NO. OF PINS:2, MTE1060 INT CIRCUIT, 71HF40 DIODE, IRG4PC60UPBF MOSFET, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, POWER DISSIPATION PD:520W, OPERATING TEMPERATURE RANGE:-55C TO +150C, NO. OF PINS:3, LEADED PROCESS COMPATIBL, PVG612S MIN QTY 150 MOSFET RELAY, LOAD CURRENT RMS MAX:2A, CONTACTS:SPST-NO, LEADED PROCESS COMPATIBLE:NO, MOUNTING TYPE:PCB, OUTPUT CURRENT:1A, OUTPUT DEVICE, IR21593SPBF MOSFET DRIVER IC, DRIVER TYPE:HIGH AND LOW SIDE, SUPPLY VOLTAGE MIN:12V, SUPPLY VOLTAGE MAX:25V, PACKAGE/CASE:16-NSOIC, NO. OF PINS:16, FALL TIME TF:6, IRG4PC50UD-EPBF IGBT, SINGLE, 600V, 55A, TO-247AC, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, POWER DISSIPATION PD:200W, OPERATING TEMPERATURE RANGE:-55C TO +150C, NO. OF PINS:, 686015 THYRISTOR MOD, TIRGBC20KD2 TRANSISTOR, IPS6011RPBF IC, MOSFET, IPS, D-PAK, POWER LOAD SWITCH TYPE:HIGH SIDE, INPUT VOLTAGE:5.5V, CURRENT LIMIT:60A, ON STATE RESISTANCE:0.011OHM, DISTRIBUTION SWITCH CAS, IR2175PBF IC, LINEAR CURRENT SENSOR, 2MA, 8-DIP, QUIESCENT CURRENT:2MA, BANDWIDTH:15KHZ, SENSOR CASE STYLE:DIP, NO. OF PINS:8, SUPPLY VOLTAGE RANGE:9.5V TO 20V,, IRGP20B60PDPBF SINGLE IGBT, 600V, 40A, TRANSISTOR TYPE:IGBT, DC COLLECTOR CURRENT:40A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:220W, COLLECTOR EMIT, IRS20954SPBF MOSFET DRIVER IC, SUPPLY VOLTAGE MAX:20V, PACKAGE/CASE:16-SOIC, OPERATING TEMPERATURE RANGE:-40C TO +125C, NO. OF PINS:16, FALL TIMETF:10NS, HIGH, IRG4PH50S-EPBF SINGLE IGBT, 18V, 57A, TRANSISTOR TYPE:IGBT, DC COLLECTOR CURRENT:57A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:200W, OPERATING TEMP, PVDZ172NPBF SSR, PHOTO MOSFET, 60V, 1.5A, LOAD VOLTAGE MAX:60V DC, LOAD CURRENT:1.5A, ON STATE RESISTANCE MAX:0.25OHM, CONTACT CONFIGURATION:SPST-NO, ISOLATION VO, TIRF5210 TRANSISTOR, TBUZ50A TRANSISTOR, IRFP4232PBF N CH MOSFET, 250V, 60A, TO-247AC, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:60A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:250V, ON RESISTANCE RDS(ON), TIRFP064 TRANSISTOR