INFINEON HYB39S256160DT7 — RAM CHIP TSOP54

Динамическая оперативная память DRAM объемом 256K×16 бит предназначена для использования в системах на базе SDRAM. Микросхема обеспечивает быстрый доступ к данным и совместима с различными платформами и контроллерами памяти. Применяется в промышленном оборудовании, коммуникационных системах и периферийных устройствах.

Технические характеристики

Совместимость

• HYB5118160BSJ-60 IC DYNAMIC RAM
• HYS64D64020HBDL-6-C Memory Board
• HYS64D64300HU-5-C Memory Module DDR
• HYS64T128021EDL-3S-B2 SDRAM Module
• HYS64V16220GDL DRAM Module
• HYS64V16220GDL-7.5-C2 Memory SDRAM
• HYS64V32300GU-7.5-D Memory Module 256MB
• HYS72T64001HR-5-A Memory Module 512MB

Применение

Микросхема INFINEON HYB39S256160DT7 используется в системах требующих надежного кэширования данных и буферизации информации. Применяется в промышленных контроллерах, коммуникационном оборудовании, серверах памяти, платах расширения и периферийных устройствах. Обеспечивает стабильную работу с высокой скоростью доступа к данным в условиях интенсивной нагрузки.

Преимущества

• Быстрый доступ к данным в течение 60 наносекунд
• Совместимость с широким спектром системных контроллеров
• Надежность и долговечность благодаря технологии CMOS
• Экономия на замене OEM компонентов и обслуживании
• Наличие на складе в Казахстане с гарантированной доставкой

Совместимые и аналогичные артикулы

Также ищут по артикулам: HYB5118160BSJ-60 IC, DYNAMIC RAM, 1 M X 16 BIT, 1 K REFRESH, 60NS, HYS64D64020HBDL-6-C MEMORY BOARD 512MB DDR 333 CL2.5, HYS64D64300HU-5-C MEMORY MODULE, 512 MB, DDR, 400MHZ, CL3, 184 PINS, PC3200 TYPE, HYS64T128021EDL-3S-B2 SDRAM MODULE, 200-PIN, SO-DIMM, DDR2, 128MX64 1GB, .45NS, CMOS, HYS64V16220GDL DRAM MODULE, SYNCHRONOUS, 5.4 ACCESS TIME, MEMORY WIDTH 64, 128 MB, HYS64V16220GDL-7.5-C2 MEMORY SDRAM, 128MB, PC133, 144 PIN, SODIMM, 16MX64, CL3, HYS64V16220GU-7.5-C MEMORY BOARD, 128MB, 133MHZ, CL3, PC133-333-520, 16MX64, SDRAM, HYS64V32300GU-7.5-D MEMORY MODULE, 256 MB, 3.3 VAC, 168 PIN, 133 MHZ, 08 CHIP COUNT, HYS72T32000HR-5-A MEOMORY MODULE, 256 MB, 240 PIN, BUS TYPE - PC-3200, SINGLE RANK, HYS72T64001HR-5-A MEMORY MODULE, 512 MB, PC2-3200, DDR2-400, 240 PIN, ICE2A0565G AC/DC CONVERTERS OFF-LINE SMPS CURRNT MODE CTRLR 650V, ICE2A280ZXKLA1 AC/DC CONVERTERS AC/DC COOLSET, ICE3A0565ZXKLA1 AC/DC CONVERTERS AC/DC COOLSET, DIP-7, ICE3B0565J CONVERTER, AC/DC 650V DIP-8, ICE3BR0665JXKLA1 PWM CONTROLLER, 65KHZ, 25V, DIP-8, INPUT VOLTAGE:-, OUTPUT VOLTAGE:-, OUTPUT CURRENT:-, SUPPLY VOLTAGE MIN:10.5V, SUPPLY VOLTAGE MAX:25V, ICE3BR4765JG IC, CONVERTER, OFFLINE FLYBACK TOPOLOGY, 65KHZ, PG-DSO-12, IDH10SG60CXKSA2 SIC DIODE, 600V, 10A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES, IHW40N135R3FKSA1 TRANSISTOR, IGBT, 1.35KV, 80A, TO-247, DC COLLECTOR CURRENT:80A, COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):1.65V, POWER DISSIPATION PD:429W, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:1.35KV, TRANSISTOR CA, IKW25N120H3XK INFINEON, IKW25N120H3XK, IGBT TRANSISTOR, TO-247-3, IKW40N120H3FKSA1 IGBT, 1.2KV, 80A, 175DEG C, 483W, TO-247, DC COLLECTOR CURRENT:80A, COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.05V, POWER DISSIPATION PD:483W, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:1.2KV, NO. OF PINS, IL55B TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, 1-ELEMENT, 5300V ISOLATION, DIP-6, IM3I-G1004GAV INTEGRATED CIRCUITS, SIEMENS SEMICONDUCTORS, DIP28, IN4720 IC CHIP 16PIN, IPB107N20N3GATMA1 (PRICE/TC) MOSFET, N-CH, 200V, 88A, TO-263- 3, TRANSISTOR POLARITY, N CHANNEL, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS, 200V, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID, 88A, ON RESISTANCE RDS(ON), 0.0096OHM, TRANSISTOR MOUNTING,, IPB60R099CPAATMA1 (PRICE/TC) MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 600V, 31A, 255W, ROHS COMPLIANT, IPD200N15N3GATMA1 (PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 150V, 50A, TO-252, TRANSISTOR POLARITY, N CHANNEL, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS, 150V, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID, 50A, ON RESISTANCE RDS(ON), 0.016OHM, TRANSISTOR MOUNTING,, IPP05CN10N-G MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 OPTIMOS 2, IPS521STRL IC MOSFET 35V 80 OHM D2PAK-5 TAPE AND REEL, IPW60R099P7XKSA1 MOSFET, N-CH, 600V, 31A, 117W, TO-247, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:31A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:600V, ON RESISTANCE RDS(ON):0.077OHM, RDS(ON) TEST VOLTAGE VGS:10V, THRE