INFINEON FS30R06W1E3 — IGBT модуль

Данный модуль предназначен для применения в промышленных системах и автоматизации, обеспечивает высокую надежность и производительность. Подходит для использования в системах с высоким напряжением и током.

Технические характеристики

Совместимость

• FP25R12W2T4B11
• FP50R06W1E3
• FP15R12W1T4
• FP10R06W1E3
• FS25R12W1T4

Применение

Модуль INFINEON FS30R06W1E3 идеально подходит для применения в системах управления мощностью, промышленных приводах, а также в проектах, требующих высокой надежности и эффективности. Использование таких модулей обеспечивает стабильность и высокую производительность систем.

Преимущества

• Долговечность до 150°C для безопасной эксплуатации
• Совместим с множеством IGBT модулей для гибкости в проектировании
• Средний срок наработки на отказ (MTBF) высокий
• OEM с экономией затрат для массового производства
• Наличие и быстрая доставка по всей территории РК

Совместимые и аналогичные артикулы

Также ищут по артикулам: PC2700R-25330-A0 SDRAM MEMORY CARD 32MX72, FP15R12W1T4B3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:15A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:130W, NO. OF PINS:20,, V23818-M305-B57 PLUGGABLE SX 850NM GBIC TRANSCIEVER, HYS72D32501GR-7-A MEMORY BOARD 256MB 133MHZ, HYS64D32000GU-7-B MEMORY 256MB PC2100 DDR-266MHZ NON-ECC CL2.5 1, PC2100R-20330-B1 SDRAM MEMORY CARD 512MB 133MHZ, FP25R12W2T4B11 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:25A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:175W, NO. OF PINS:23,, HYB39S128800CT PC MEMORY MODULE 256MB PC133 SDRAM, FS25R12W1T4 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:25A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:205W, COLLECTOR EMITT, FS50R06W1E3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:50A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:205W, COLLECTOR EMITTE, F430R06W1E3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:30A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:165W, NO. OF PINS:15,, FP20R06W1E3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:20A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:94W, COLLECTOR EMITTER, F475R06W1E3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:75A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:275W, NO. OF PINS:15,, HYS64D16301GU-6-B MEMORY MODULE DDR SDRAM 128MB, HYS72V128320GR-7.5-C2 MEMORY BOARD 1024MB 133MHZ CL3 ECC ERG, PC2700U-25330-B0 512MB PC2700 DDR-333MHZ NON-ECC CL2.5 184-PIN DIMM, FS15R06XL4 BLOCK IGBT MODULES N-CH 600V 20A, HYS64V32220GU-7.5-C2 MEMORY MODULE 256MB SDRAM, SAK-C164CI-8EM 16BIT MCU, 64K OTP, 4K RAM, CAN, 20MHZ, CONTROLLER FAMILY/SERIES:C164CI, CORE SIZE:16BIT, NO. OF I/OS:59, SUPPLY VOLTAGE RANGE:4.75V TO 5.5V, DIGITAL, FP10R12W1T4B11 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:10A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:105W, NO. OF PINS:23,, HYS64D32300HU-5-C MEMORY RAM CARD 256MB DDR 400, HYS64T32000HU-3.7-A MEMORY BOARD 240PIN 256MB 1RX16 533MHZ, FP15R12W1T4 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:15A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:130W, NO. OF PINS:23,, SAFC515L24M IC, V23809C8C10 FIBER OPT ADPT, FP15R06W1E3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:15A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:81W, NO. OF PINS:23, C, FS20R06W1E3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:20A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:135W, NO. OF PINS:18,, SAK-C167SR-LMHA+ IC, MCU, 16BIT, 25MHZ, 144MQFP, CONTROLLER FAMILY/SERIES:C166, CORE SIZE:16BIT, NO. OF I/OS:111, SUPPLY VOLTAGE RANGE:4.5V TO 5.5V, DIGITAL IC CASE S, FP10R06W1E3 IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:10A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V, POWER DISSIPATION PD:68W, NO. OF PINS:23, C